第132章 十倍精度光刻(3/4)
东没有怀疑杨工骗他，这东西就在这儿，骗他没有任何意义，纪弘想跟他谈什么，也不差这一点筹码。
“最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道：“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上，然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”
“这……”这种方法于东当然知道，就是最原始的方法。
但是精度怎么控制啊？这东西在所有的工艺节点上，量产工艺，就没有做过双重以上的，最多就是双重。
理论倒是非常简单，但做起来那是非常的困难。
不仅是工件台的移动精度问题，有非常多的问题需要解决。
稍微对不准一点，一重一重的累积下来就会是天文数字，最终导致全盘都失败。
换句话说，你动一下都需要保持n级别的精度，既然有这个技术，直接去改造光刻机都比这个更容易。
“来，看看我们的历程吧。”没等杨工回答，纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。
“与传统提升工艺的过程不同，”纪弘介绍道：“类思维ai在这里发挥了巨大的作用。
“刻-刻蚀-光刻-刻蚀，也就是lele这种双重曝光技术之所以引起套刻误差，不能四重甚至更多重的lelelelle，是因为精度不好把握。
“但，对于我们来说，这反倒是最简单的。对准嘛，机械重复就好了，一次不行那就多来几次。”
这个过程困难吗？
对于一般的产线来说，非常困难。
因为误差有多少，不下产线去检测就不可能知道。
一次光刻之后，按程序移动，然后二次光刻，所有流程结束了，上检测线了，上封测线了，才能知道哪儿出了问题，良率多少，是不是能够满足量产需求。
不能的话，去调整，重复上述过程，直到满足需求。
但宏图微电子这儿呢？就好像里边住了个人。
机台动了一下，光刻尚未进行：“我对准了没？”
“好像还差一点。”
“现在呢？”
“往右一点。”
“这会儿呢？”
“往左一点。”
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