第218章 开课(3/5)
因此，每讲完一个基础概念，他都会补充这一原理在真实芯片中的作用。
“栅极电压控制沟道，决定载流子能不能通过。”
顾教授在黑板上画出一个简单结构。
“你可以把它理解成一道门。晶体管缩小，门也会跟着变薄。”
“薄到一定程度以后，即使门关着，电子依旧可能穿过去。”
陈默看着黑板上的图。
“量子隧穿。”
“对。”
顾教授点点头。
“你以前接触过？”
“见过这个词。”
陈默没有隐瞒。
“只知道它会造成漏电，具体原理今天才明白。”
顾教授没有因为他的坦率降低要求，反而继续追问了几个问题。
陈默有些能够回答，有些只能摇头。
这才是他目前最真实的状态。
前世的他长期投资科技产业，参加过大量业绩会、发布会和产业论坛，也看过无数研究报告。
芯片制程、三维存储、高带宽内存、先进封装、硅光、存算一体，这些词他都不陌生。
他甚至清楚它们后来分别造就了哪些公司，又让哪些曾经辉煌的企业掉下牌桌。
可一旦涉及器件结构、材料特性和制造过程，那些记忆便会迅速变得模糊。
投资者需要判断方向和结果，工程师却必须解释其中的每一步。
陈默现在所做的，就是将两者连接起来。
第一天结束时，他的笔记本已经写满了大半。
第三天，顾教授开始讲短沟道效应和栅极结构演变。
陈默提出的问题，已经从“它为什么会漏电”，变成了“继续缩小以后，材料、结构和互联谁会先成为限制”。
第五天，课程进入半导体制造工艺。
光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗、抛光，每一道工序背后，都对应着庞大的设备和材料体系。
听到多重曝光时，陈默想起了未来不断膨胀的晶圆制造成本。
听到高深宽比刻蚀时，他脑海中浮现出三维闪存从几十层一路向数百层发展的过程。
听到键合和封装时，曾经看过的芯粒、混合键合和高带宽存储结构图，也第一次有了清晰的技术含义。
那些来自2035年的记忆，开始不断被眼前的知识唤醒。
第七天，负责存储结构的吴华强亲自给他上课。
从SRAM、DRAM到NAND，再到各种仍停留在实验室阶段的新型存储器，吴华强没有追求复杂的数学推导，而是要求陈默说清楚每种结构的优点、缺点和应用边界。
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