第一百五十八章 大为震撼！(2/6)

OS工艺在后世是有多么普及了。
  “CMOS功耗低，集成度高，静态功耗几乎为零，做出来的芯片确实比双极型和NMOS更适合大规模集成。”
  “理论上，同样的芯片面积，CMOS可以集成比NMOS多将近一倍的晶体管，这些优势，决定了CMOS一定会是未来的主流方向。“
  钱学明的眉毛挑了一下，听着如此专业的分析，他眼神里的防备稍稍松了几分。
  然而，下一秒，林默话锋一转。
  “但是钱先生，作为搞技术的人，不能只看优势，不看问题，CMOS有它的优点，但它的缺点同样致命，您怎么解决那些瓶颈？“
  “多的我就不说了，我就举几个例子。”
  “第一就是速度。“林默一字一句的说道，
  “CMOS的速度远远比不上TTL电路，双极型晶体管的开关速度天生就快，CMOS靠的是电压驱动，充放电过程本身就存在延迟。“
  “一个标准CMOS反相器的延迟时间在几十纳秒级别，而同样工艺的TTL电路可以做到几纳秒甚至更低。”
  “对于需要高速运算的计算机，通讯设备来说，速度慢就是死穴。”
  “这个问题如果不解决，CMOS永远只能用在手表，计算器这些低功耗但低性能的领域。“
  听到这里，钱学明脸色变了变。
  林默说的不错，这确实是目前业内最致命的问题之一。
  接着，林默没有停顿继续开口：“第二就是栓锁效应。“
  “CMOS结构里同时存在NMOS和PMOS两种器件，衬底和阱之间会形成寄生可控硅结构。”
  “一旦触发，会导致芯片功能混乱，无法正常工作，严重的甚至会烧毁芯片。”
  “这种效应在抗辐照环境下尤其明显，如果用CMOS做军用或者航天级芯片，不考虑栓锁效应，那跟自杀没什么区别。“
  “第三，制造工艺。“
  “CMOS需要在同一块衬底上同时制造NMOS和PMOS两种器件，这意味着掩模层数比NMOS多出将近一倍，光刻对准的难度大大增加。”
  “对设备的要求更高，对材料纯度的要求也更高，每一步的良率都会下降，这么一来，整体的良率就更低了。”
  “我听说国内有些研究所尝试过CMOS工艺流片，结果成品率连百分之十都不到，这还怎么做量产？“
  说完，林默语气平静地看着钱学明：

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