第32章 新竹交锋，寸土必争(1/3)

    第二天清晨，启德机场的跑道上，一架飞往台北的航班准时起飞。林轩和陈家俊带着厚厚的技术文档和满身的疲惫，踏上了前往新竹科学园区的征程。

    经过短暂的飞行和转车，两人抵达了台积电位于新竹的总部。这座当时在全球半导体制造业中已崭露头角的工厂，规模宏大，戒备森严，处处透露着高科技产业的严谨与秩序。

    在预约好的会议室里，林轩和陈家俊见到了台积电负责芯启科技项目的客户经理、工艺整合工程师以及来自良率提升部门的专家。

    会议一开始，气氛就有些微妙的紧张。台积电方面首先表达了对芯启科技面临困难的理解，但也隐晦地表示，作为一家刚成立、订单量不大的初创公司，芯启的设计本身可能也存在一些不够成熟的地方，影响了良率。

    “林先生，陈先生，我们分析了你们提供的数据，”一位戴着金边眼镜，看起来经验丰富的工艺整合部负责人开口道，“确实观察到一些工艺窗口的边缘效应，这在任何新设计导入时都可能遇到。我们已经在标准流程内进行了一些参数微调，但大幅度的改动需要更充分的理由和数据支持，也需要时间。”

    陈家俊立刻接口，条理清晰地展示了他们连夜整理的失效分析证据链，包括通过电子显微镜（se）拍摄到的疑似金属连线短路、刻蚀残留的照片，以及对应测试环节的失效数据分布，直指特定的几步工艺可能是关键瓶颈。

    “王经理，各位工程师，”林轩开口了，他的语气平静，但带着不容置疑的专业自信，“我们理解新设计导入的挑战，也承认我们的设计可能还有优化空间。但根据我们的分析，目前良率卡在70以下，主要瓶颈很可能在id平坦化处理和接触孔刻蚀这两个环节。我们怀疑p（化学机械抛光）的均匀性，以及刻蚀过程中等离子体的稳定性，可能超出了spec（规格）的下限。”

    林轩没有停顿，接着抛出了更深层次的技术细节，甚至引用了当时业界一些关于特定设备型号在处理高密度布局时可能存在的固有问题的研究论文（当然，这些是他前世的知识储备）。

    “我们建议，能否在下一批次的wafer（晶圆）上，针对这两个步骤，进行一次doe（design of exper
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